ООО «Сычуань Юаньвэй Синьту Полупроводниковые Технологии»

12 ноября южнокорейский 8-дюймовый литейный завод SK keyfoundry объявил об ускорении разработки технологий производства силовых полупроводников на основе карбида кремния (SiC). Недавно компания завершила приобретение SK powertech, ключевого игрока в области карбида кремния. SK keyfoundry заявила, что форсирует технологические разработки с целью представить техпроцесс SiC MOSFET 1200V к концу 2025 года и запустить услуги контрактного производства силовых полупроводников на основе SiC в первой половине 2026 года. Второй по величине производитель чипов в Южной Корее, компания SK hynix, в 2022 году завершила сделку по приобретению южнокорейского контрактного производителя чипов Key Foundry за 5760 миллиардов вон (492 миллиона долларов). Благодаря глубокому производственному опыту — от изготовления пластин до завершающих этапов операций — SK Keyfoundry накопила обширные знания в области оптимизации процессов и повышения выхода годной продукции. В результате этого приобретения SK Keyfoundry получила доступ к технологиям производства и проектирования SiC-полупроводников компании SK Powertech, что, как ожидается, создаст беспрецедентный синергетический эффект в области сложных полупроводников на основе карбида кремния. SK Powertech пользуется высокой репутацией внутри страны благодаря своим редким коммерциализированным силовым SiC-устройствам и ключевым технологическим процессам. Данная сделка заложит прочный фундамент для технологической независимости SK Keyfoundry в сфере силовых SiC-полупроводников. На этой основе SK Keyfoundry ускоряет темпы исследований и разработок, стремясь к концу 2025 года представить технологию производства SiC MOSFET 1200V и запустить услуги контрактного производства силовых SiC-полупроводников в первой половине 2026 года. Компания планирует сосредоточиться на расширении своих технологических процессов, уделяя особое внимание высоковольтным и высокоэффективным областям применения, таким как силовые агрегаты электромобилей, промышленные преобразователи энергии и инверторы для возобновляемых источников энергии. Для достижения этой цели SK Keyfoundry усиливает процессы оптимизации технологий и оценки надежности, а также формирует специализированную команду для предоставления индивидуальных SiC-решений. В последние годы мировой спрос на сложные силовые полупроводники, включая карбид кремния (SiC), стремительно растет. Внедрение карбида кремния ускоряется в таких отраслях, как электромобили, системы накопления энергии (ESS), инфраструктура 5G и центры обработки данных, где энергоэффективность стала ключевым фактором конкурентоспособности. По прогнозам исследовательской компании Omdia, с 2025 по 2030 год мировой рынок SiC будет демонстрировать уверенный ежегодный рост на уровне более 24%. В условиях меняющейся рыночной конъюнктуры SK Keyfoundry стремится превратить сектор силовых SiC-полупроводников в двигатель роста следующего поколения и расширять сотрудничество с отечественными и зарубежными клиентами для увеличения своей доли на мировом рынке. Генеральный директор SK Keyfoundry Ли Дэк Мён заявил: «Приобретение эксперта в области SiC, компании SK Powertech, является ключевым шагом для SK Keyfoundry в установлении собственных уникальных технологических преимуществ в сфере сложных полупроводников. Объединяя основные научно-исследовательские возможности двух компаний и выводя на рынок высокоэффективные технологии производства и продукты на основе SiC, SK Keyfoundry стремится занять дифференцированные лидирующие позиции на быстрорастущем мировом рынке высоковольтных и высокоэффективных сложных полупроводников». полупроводниковый гигант

Во-первых, давайте разберемся: что именно мы очищаем? Какие существуют загрязнения? В основном они делятся на четыре категории: Частицы загрязнений: пыль, металлические частицы, органические частицы, абразивные частицы (после процесса CMP) и т. д. Они могут приводить к дефектам рисунка, таким как короткие замыкания или разрывы цепи. Органические загрязнения: остатки фоторезиста, смолистые добавки, кожное сало, остатки растворителей и т. д. Они образуют маску, препятствующую травлению или ионной имплантации, а также снижают адгезию других тонких пленок. Загрязнения ионами металлов: железо, медь, натрий, калий, кальций и др. В основном они попадают из оборудования, химикатов и от персонала. Естественный оксидный слой: на воздухе естественным образом образуется очень тонкий слой диоксида кремния (Native Oxide). Толщину и равномерность этого слоя трудно контролировать, поэтому при создании критически важных структур, таких как подзатворный диэлектрик, его необходимо полностью удалять. 1.Основная цель: различие между электрическими характеристиками и физическим совершенством Полупроводниковые кремниевые пластины: основной целью очистки является обеспечение электрических характеристик. Технические требования обычно включают строгий контроль количества и размера частиц (например, эффективное удаление частиц размером ≥0,1 мкм), концентрации ионов металлов (например, содержание Fe, Cu и др. должно быть на уровне 10¹⁰ атомов/см² или ниже), а также остатков органических веществ. Любое микрозагрязнение может привести к короткому замыканию в цепи, токам утечки или нарушению целостности подзатворного оксида. Стеклянные пластины: при использовании в качестве подложки или основания основные требования заключаются в физическом совершенстве и химической стабильности. Спецификации обычно ориентированы на макроскопический внешний вид, такой как отсутствие царапин, отсутствие неудаляемых пятен (Stain), а также сохранение исходной шероховатости поверхности и геометрической формы. Эффект очистки в первую очередь должен обеспечивать визуальную чистоту и адгезию для последующих процессов (например, нанесения покрытий). 2.Природа материалов: коренные различия между кристаллическими и аморфными структурами Кремний: является кристаллическим материалом, на поверхности которого на воздухе естественным образом нарастает слой диоксида кремния (SiO₂) неравномерной толщины — естественный оксидный слой. Эта оксидная пленка представляет угрозу для электрических характеристик, поэтому она должна быть полностью и равномерно удалена. Стекло: по своей сути представляет собой аморфную сетку диоксида кремния. Состав его основной фазы схож с составом естественного оксидного слоя кремния, что означает его подверженность быстрой коррозии под воздействием плавиковой кислоты (HF), а также уязвимость перед сильными щелочами, что приводит к увеличению шероховатости поверхности или деформации. III. Сравнение вариантов очистки В настоящее время на заводах по переработке стекла широко используются процессы очистки, основанные на свойствах материала и ориентированные преимущественно на применение слабощелочных чистящих средств. Резюме: Решения по очистке кремниевых и стеклянных пластин являются неизбежным результатом обратного проектирования, основанного на спецификациях конечного использования и физико-химических свойствах самих материалов. Очистка кремниевых пластин направлена на достижение «атомарной чистоты» в электрическом аспекте, в то время как очистка стеклянных пластин ориентирована на обеспечение «идеального отсутствия повреждений» физической поверхности. По мере углубления применения стеклянных пластин в полупроводниковой сфере, процессы их очистки неизбежно будут развиваться от традиционной слабощелочной промывки в сторону более тонких и индивидуальных решений, таких как модифицированный метод RCA, для соответствия более высоким требованиям к чистоте. Кремниевые и стеклянные пластины

Спрос на вычислительные мощности ИИ коренным образом меняет позиционирование и парадигму развития индустрии передовой упаковки. Ее роль трансформировалась из завершающего этапа производства в ключевой фактор, обеспечивающий тесное взаимодействие с проектированием чипов и инновациями в их архитектуре. Определение передовой упаковки Передовая упаковка (Advanced Packaging) — это наиболее современная форма и технология корпусирования, в которой используются передовые методы и процессы для упаковки чипов и других компонентов с целью повышения их производительности, функциональности и надежности. По сравнению с традиционными методами, этот вид упаковки отличается более высокой степенью интеграции, меньшими размерами, более низким энергопотреблением и повышенной надежностью. К характеристикам передовой упаковки относятся высокая интеграция, многофункциональность, трехмерная (3D) интеграция, эффективное управление тепловыделением и долговечность. Политика развития отрасли передовых технологий упаковки В последние годы государство последовательно выпустило ряд политических мер, поощряющих развитие и инновации в отрасли передовых технологий упаковки. Такие отраслевые документы, как «Мнения по реализации мер по повышению надежности в обрабатывающей промышленности», «Уведомление Министерства финансов, Главного таможенного управления и Главного государственного налогового управления о налоговой политике в отношении импорта для поддержки развития индустрии интегральных схем и программного обеспечения», а также «План 14-й пятилетки национального экономического и социального развития Китайской Народной Республики и Очертания перспективных целей до 2035 года», определили четкие и широкие рыночные перспективы для развития отрасли передовых технологий упаковки и создали благоприятную производственную и операционную среду для предприятий. Текущее состояние развития отрасли передовых технологий упаковки 1.Объем мирового рынка В 2024 году объем мирового рынка передовых технологий упаковки достиг 51,90 млрд долларов США, увеличившись на 10,90% в годовом исчислении. Аналитики China Commercial Industry Research Institute прогнозируют, что в 2025 году объем мирового рынка передовых технологий упаковки достигнет 57,1 млрд долларов США, а к 2028 году — 78,6 млрд долларов США. 2.Объем китайского рынка Объем китайского рынка передовых технологий упаковки чипов вырос с 35,1 млрд юаней в 2020 году до 69,8 млрд юаней в 2024 году, при этом совокупный годовой темп роста (CAGR) за этот период составил 18,7%. Аналитики исследовательского института China Commercial Industry Research Institute прогнозируют, что в 2025 году объем китайского рынка передовых технологий упаковки достигнет 85,2 млрд юаней. 3.Стратегия размещения ключевых предприятий 4.Перспективы развития отрасли передовых методов упаковки чипов (1) Технологические прорывы как драйвер резкого роста эффективности отрасли Технологии передовых методов упаковки перестраивают парадигму проектирования чипов за счет гетерогенной интеграции и микромасштабируемых межсоединений, позволяя полупроводниковой индустрии преодолеть ограничения закона Мура. Технологии 3D-стекирования, сквозных соединений в кремнии (TSV) и гибридного бондинга обеспечивают высокоплотное межсоединение нескольких кристаллов на системном уровне, значительно повышая плотность вычислительной мощности и энергоэффективность. Эти инновации позволяют отечественным чипам в условиях ограничений на передовые техпроцессы достигать межпоколенческих скачков производительности за счет оптимизации упаковки, обеспечивая ключевую поддержку в таких областях, как искусственный интеллект и высокопроизводительные вычисления. (2) Расширение сценариев применения активизирует инновационный потенциал Передовые технологии упаковки проникают в такие развивающиеся области, как обучение ИИ, автономное вождение и экономика малых высот, стимулируя появление кастомизированных решений. Потребность больших моделей в вычислительной мощности способствует интеграции HBM и GPU через 2.5D-упаковку для обеспечения высокой пропускной способности и преодоления проблемы «барьера памяти»; чипы автомобильного класса требуют устойчивости к высоким температурам и вибрациям, что вынуждает компании разрабатывать высоконадежные герметизирующие материалы. (3) Вертикальная интеграция производственной цепочки повышает уровень автономности и контроля Совместные прорывы в области материалов, оборудования и производства снижают внешнюю зависимость. Налажен серийный выпуск отечественных подложек ABF, что разрушило зарубежную монополию на высокотехнологичные подложки для упаковки; локализация производства оборудования для травления кремниевых интерпозеров и клеев для временного бондинга сократила цикл трансформации технологий. Интеграция всей цепочки повышает устойчивость поставок, позволяя предприятиям оперативно реагировать на быструю итерацию ИИ-чипов и противостоять рискам, связанным с барьерами в международной торговле. упаковки чипов